“三星研发首款10纳米第三代高性能DDR4 DRAM”

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3月21日，sammobile3报道，三星企业开发了第三代10纳米8gb ddr4 dram。 这是业界第一个产品。 新的10nmDDR4是业界较小的内存解决方案节点。 与以前的1y-nm版本相比，制造效率提高了20%以上，以超高性能和电力效率推进了dram处理方式的局限性。 另外，第3代ddr4产品没有通过极端的紫外线( euv )解决。

三星预计，10纳米ddr5将为ddr5、lpddr5、gddr6等新一代dram接口的上市铺平道路。

三星dram产品和技术执行副社长jung-bae lee说。 “我们致力于突破技术行业的巨大挑战，这推动了我们的创新。 我们很高兴再次为新一代dram的稳定生产奠定了基础，确保了高性能和高能效。 (实习编译(宋秋宇审阅)李宗泽( ) ) ( ) ) ) ) ) ) ) )