三星正研发160层3D闪存 制造工艺或将大幅改善

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日前，据报道，继去年推出136层的第六代v-nand闪存后，三星目前正在开发160层及以上的3d闪存，这将成为第七代v-nand闪存的基础。

据了解，136层的第六代v-nand闪存是三星今年大规模生产的主要力量。韩国媒体报道称，三星可能会大幅改进其制造工艺，从目前的单堆叠升级到双堆叠，从而制造出更高水平的3d闪存。

考虑到三星占据了nand闪存行业1/3以上的市场份额，而且其实力也是最强的，160层以上的堆栈闪存也应该是他们的第一次发布也就不足为奇了，所以三星将继续保持其在闪存技术方面的优势，并扩大与竞争对手的差距。

就在上周，中国长江存储公司宣布，它已经攻克了128层3d闪存技术，qlc型存储容量达到1.33tb，创造了三项世界第一。此外，sk hynix去年还宣布，它正在开发176层堆叠4d闪存；然而，他们的闪存的结构甚至命名都不同于其他制造商，所以我们不能只看层数。